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Technische Details PMPB09R1XNX Nexperia
Description: NEXPERIA - PMPB09R1XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0091 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: DFN2020M, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PMPB09R1XNX nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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PMPB09R1XNX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABLPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 9.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020M-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V |
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PMPB09R1XNX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB09R1XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0091 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: DFN2020M Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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PMPB09R1XNX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB09R1XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0091 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: DFN2020M Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMPB09R1XNX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 9.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020M-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V |
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