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Technische Details PMPB100XPEAX Nexperia
Description: NEXPERIA - PMPB100XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.1 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.95W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.95W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote PMPB100XPEAX
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PMPB100XPEAX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB100XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.1 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.95W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.95W Bauform - Transistor: DFN2020MD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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PMPB100XPEAX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB100XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.1 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 MSL: MSL 1 - unbegrenzt productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 1.95W Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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| PMPB100XPEAX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2A; Idm: -13A Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 5nC Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -12...8V Pulsed drain current: -13A Mounting: SMD Case: DFN2020MD-6; SOT1220 Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A On-state resistance: 191mΩ Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| PMPB100XPEAX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2A; Idm: -13A Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 5nC Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -12...8V Pulsed drain current: -13A Mounting: SMD Case: DFN2020MD-6; SOT1220 Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A On-state resistance: 191mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
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