PMPB10R3XNX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
auf Bestellung 2563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 22+ | 0.81 EUR |
| 33+ | 0.55 EUR |
| 100+ | 0.37 EUR |
| 500+ | 0.29 EUR |
| 1000+ | 0.26 EUR |
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Technische Details PMPB10R3XNX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMPB10R3XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0103 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: DFN2020M, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PMPB10R3XNX nach Preis ab 0.19 EUR bis 1.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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PMPB10R3XNX | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs SOT1220 N-CH 30V 8.9A |
auf Bestellung 1114 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMPB10R3XNX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB10R3XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0103 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: DFN2020M Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMPB10R3XNX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB10R3XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0103 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: DFN2020M Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMPB10R3XNX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 8.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020M-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V |
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