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PMPB10R3XNX

PMPB10R3XNX NEXPERIA

PMPB10R3XN.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB10R3XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0103 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
269+0.93 EUR
316+0.74 EUR
453+0.48 EUR
633+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 269 Stücke
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Technische Details PMPB10R3XNX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMPB10R3XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0103 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: DFN2020M, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PMPB10R3XNX PMPB10R3XNX NEXPERIA PMPB10R3XN.pdf Description: NEXPERIA - PMPB10R3XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0103 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 269 Stücke
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PMPB10R3XNX PMPB10R3XNX Nexperia USA Inc. PMPB10R3XN.pdf Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
auf Bestellung 2563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
33+0.65 EUR
100+0.44 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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PMPB10R3XNX PMPB10R3XNX Nexperia PMPB10R3XN.pdf MOSFETs SOT1220 N-CH 30V 8.9A
auf Bestellung 2689 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+0.75 EUR
100+0.5 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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PMPB10R3XNX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB10R3XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0103 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
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Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 19W (Tc)
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Supplier Device Package: DFN2020M-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
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MOSFETs SOT1220 N-CH 30V 8.9A
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