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PMPB11R2VPX

PMPB11R2VPX Nexperia

PMPB11R2VP-1919534.pdf
Hersteller: Nexperia
MOSFETs PMPB11R2VP/SOT1220-2/DFN2020M-
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Technische Details PMPB11R2VPX Nexperia

Description: NEXPERIA - PMPB11R2VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9.7 A, 0.0112 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, Verlustleistung: 1.9W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: DFN2020M, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PMPB11R2VPX PMPB11R2VPX NEXPERIA 3163655.pdf Description: NEXPERIA - PMPB11R2VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9.7 A, 0.0112 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB11R2VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9.7 A, 0.0112 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
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