| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.8 EUR |
| 10+ | 0.68 EUR |
| 100+ | 0.63 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| 1000+ | 0.57 EUR |
| 6000+ | 0.24 EUR |
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Technische Details PMPB11R2VPX Nexperia
Description: NEXPERIA - PMPB11R2VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9.7 A, 0.0112 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: DFN2020M, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PMPB11R2VPX nach Preis ab 0.44 EUR bis 1.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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PMPB11R2VPX | NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PMPB11R2VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9.7 A, 0.0112 ohm, DFN2020M, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: DFN2020M Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3910 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMPB11R2VPX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB11R2VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9.7 A, 0.0112 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: DFN2020M Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3910 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMPB11R2VPX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB11R2VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9.7 A, 0.0112 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PMPB11R2VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9.7 A, 0.0112 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
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Kanaltyp: p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 199+ | 1.26 EUR |
| 284+ | 0.82 EUR |
| 315+ | 0.68 EUR |
| 500+ | 0.55 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| PMPB11R2VPX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB11R2VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9.7 A, 0.0112 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
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Produktpalette: Trench
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PMPB11R2VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9.7 A, 0.0112 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 194+ | 1.29 EUR |
| 278+ | 0.83 EUR |
| 308+ | 0.69 EUR |
| 500+ | 0.6 EUR |
| 1000+ | 0.48 EUR |