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PMPB11R2VPX

PMPB11R2VPX Nexperia

PMPB11R2VP-1919534.pdf Hersteller: Nexperia
MOSFETs PMPB11R2VP/SOT1220-2/DFN2020M-
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Technische Details PMPB11R2VPX Nexperia

Description: NEXPERIA - PMPB11R2VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9.7 A, 0.0112 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: DFN2020M, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PMPB11R2VPX PMPB11R2VPX Hersteller : NEXPERIA PMPB11R2VP.pdf Description: NEXPERIA - PMPB11R2VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9.7 A, 0.0112 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3910 Stücke:
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PMPB11R2VPX PMPB11R2VPX Hersteller : NEXPERIA 3163655.pdf Description: NEXPERIA - PMPB11R2VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9.7 A, 0.0112 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
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PMPB11R2VPX PMPB11R2VPX Hersteller : NEXPERIA pmpb11r2vp.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 14A T/R
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PMPB11R2VPX PMPB11R2VPX Hersteller : Nexperia USA Inc. PMPB11R2VP.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 9.7A DFN2020M-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 6 V
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