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PMPB12R5UPEX

PMPB12R5UPEX Nexperia USA Inc.

PMPB12R5UPE.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PMPB12R5UPE/SOT1220-2/DFN2020M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.23 EUR
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Technische Details PMPB12R5UPEX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMPB12R5UPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13 A, 0.0118 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.8W, Bauform - Transistor: DFN2020M, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PMPB12R5UPEX PMPB12R5UPEX Nexperia USA Inc. PMPB12R5UPE.pdf Description: PMPB12R5UPE/SOT1220-2/DFN2020M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
auf Bestellung 3405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
38+0.56 EUR
100+0.38 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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PMPB12R5UPEX PMPB12R5UPEX NEXPERIA 3812029.pdf Description: NEXPERIA - PMPB12R5UPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13 A, 0.0118 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
217+1.15 EUR
331+0.7 EUR
685+0.31 EUR
807+0.26 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 217 Stücke
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PMPB12R5UPEX PMPB12R5UPEX NEXPERIA 3812029.pdf Description: NEXPERIA - PMPB12R5UPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13 A, 0.0118 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
217+1.15 EUR
331+0.7 EUR
685+0.31 EUR
807+0.26 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 217 Stücke
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PMPB12R5UPEX PMPB12R5UPE.pdf
PMPB12R5UPEX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PMPB12R5UPE/SOT1220-2/DFN2020M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
auf Bestellung 3405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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PMPB12R5UPEX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB12R5UPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13 A, 0.0118 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
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Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PMPB12R5UPEX 3812029.pdf
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB12R5UPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13 A, 0.0118 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2350 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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