PMPB12R7EPX NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB12R7EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.0127 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 261+ | 0.96 EUR |
| 324+ | 0.71 EUR |
| 430+ | 0.5 EUR |
| 603+ | 0.36 EUR |
| 1500+ | 0.35 EUR |
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Technische Details PMPB12R7EPX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB12R7EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.0127 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.9W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: DFN2020M, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0127ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PMPB12R7EPX nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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PMPB12R7EPX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB12R7EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.0127 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.9W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: DFN2020M Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0127ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3049 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMPB12R7EPX | Nexperia |
MOSFETs SOT1220 P-CH 30V 8.7A |
auf Bestellung 1526 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMPB12R7EPX | Nexperia USA Inc. |
Description: PMPB12R7EP - 30 V, P-CHANNEL TRE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020M-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1638 pF @ 15 V |
auf Bestellung 3778 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMPB12R7EPX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB12R7EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.0127 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0127ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PMPB12R7EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.0127 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0127ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 261+ | 0.96 EUR |
| 324+ | 0.71 EUR |
| 430+ | 0.5 EUR |
| 603+ | 0.36 EUR |
| 1500+ | 0.35 EUR |
| PMPB12R7EPX |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT1220 P-CH 30V 8.7A
MOSFETs SOT1220 P-CH 30V 8.7A
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.3 EUR |
| 10+ | 0.79 EUR |
| 100+ | 0.51 EUR |
| 500+ | 0.39 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
| 3000+ | 0.33 EUR |
| PMPB12R7EPX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PMPB12R7EP - 30 V, P-CHANNEL TRE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1638 pF @ 15 V
Description: PMPB12R7EP - 30 V, P-CHANNEL TRE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1638 pF @ 15 V
auf Bestellung 3778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 1.46 EUR |
| 24+ | 0.9 EUR |
| 100+ | 0.58 EUR |
| 500+ | 0.44 EUR |
| 1000+ | 0.39 EUR |