PMPB20XPEAX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1055 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 24+ | 0.74 EUR |
| 100+ | 0.55 EUR |
| 500+ | 0.43 EUR |
| 1000+ | 0.35 EUR |
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Technische Details PMPB20XPEAX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMPB20XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.2 A, 0.019 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 12.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: SOT-1220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote PMPB20XPEAX nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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PMPB20XPEAX | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PMPB20XPEA/SOT1220/SOT1220 |
auf Bestellung 3568 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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PMPB20XPEAX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB20XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.2 A, 0.019 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 12.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: SOT-1220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 7820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMPB20XPEAX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB20XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.2 A, 0.019 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 12.5W Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 7860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMPB20XPEAX | Hersteller : Nexperia |
P-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PMPB20XPEAX | Hersteller : Nexperia |
P-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101 |
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PMPB20XPEAX | Hersteller : NEXPERIA |
P-channel Trench MOSFET |
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| PMPB20XPEAX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -30A; 1.7W Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.5A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 1.7W Case: DFN2020MD-6; SOT1220 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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PMPB20XPEAX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 7.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
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| PMPB20XPEAX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -30A; 1.7W Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.5A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 1.7W Case: DFN2020MD-6; SOT1220 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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