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PMPB20XPEAX NEXPERIA

Name: PMPB20XPEAX
Brand: Nexperia
SKU: 3772203-4
Price: 2.82 EUR
Availability: BackOrder

Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB20XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.2 A, 0.019 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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Technische Details PMPB20XPEAX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMPB20XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.2 A, 0.019 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: SOT-1220, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
PMPB20XPEAX	Hersteller : NEXPERIA	Description: NEXPERIA - PMPB20XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.2 A, 0.019 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	auf Bestellung 1265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PMPB20XPEAX	Hersteller : Nexperia	P-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PMPB20XPEAX	Hersteller : Nexperia	P-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PMPB20XPEAX	Hersteller : NEXPERIA	P-channel Trench MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PMPB20XPEAX	Hersteller : Nexperia USA Inc.	Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 7.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PMPB20XPEAX	Hersteller : Nexperia USA Inc.	Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 7.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PMPB20XPEAX	Hersteller : Nexperia	MOSFETs SOT1220 P-CH 20V 7.2A	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PMPB20XPEAX	Hersteller : NEXPERIA	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -30A; 1.7W Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.5A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 1.7W Case: DFN2020MD-6; SOT1220 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH