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PMPB215ENEAX

PMPB215ENEAX Nexperia

3892417101971943pmpb215enea.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 1.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
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Technische Details PMPB215ENEAX Nexperia

Description: MOSFET N-CH 80V 1.9A DFN2020MD-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

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PMPB215ENEAX PMPB215ENEAX Hersteller : Nexperia 3892417101971943pmpb215enea.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 1.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
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PMPB215ENEAX PMPB215ENEAX Hersteller : Nexperia USA Inc. PMPB215ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 1.9A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
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PMPB215ENEAX PMPB215ENEAX Hersteller : Nexperia PMPB215ENEA.pdf MOSFETs 80 V, single N-channel Trench MOSFET
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PMPB215ENEAX PMPB215ENEAX Hersteller : Nexperia USA Inc. PMPB215ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 1.9A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
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PMPB215ENEAX PMPB215ENEAX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003105582-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMPB215ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 1.9 A, 0.175 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PMPB215ENEAX PMPB215ENEAX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003105582-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMPB215ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 1.9 A, 0.175 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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