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PMPB48EPAX

PMPB48EPAX Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details PMPB48EPAX Nexperia

Description: NEXPERIA - PMPB48EPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.7 A, 0.04 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: SOT-1220, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PMPB48EPAX PMPB48EPAX Nexperia pmpb48epa.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
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476+0.36 EUR
477+0.35 EUR
478+0.33 EUR
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PMPB48EPAX PMPB48EPAX Nexperia pmpb48epa.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
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PMPB48EPAX PMPB48EPAX NEXPERIA PMPB48EPA.pdf Description: NEXPERIA - PMPB48EPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.7 A, 0.04 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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562+0.44 EUR
572+0.4 EUR
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Mindestbestellmenge: 562 Stücke
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PMPB48EPAX PMPB48EPAX NEXPERIA PMPB48EPA.pdf Description: NEXPERIA - PMPB48EPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.7 A, 0.04 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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PMPB48EPAX PMPB48EPAX Nexperia USA Inc. PMPB48EPA.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.7A DFN2020MD-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: Nexperia
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Hersteller: Nexperia
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476+0.36 EUR
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478+0.33 EUR
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auf Bestellung 1899 Stücke:
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479+0.36 EUR
500+0.35 EUR
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PMPB48EPAX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB48EPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.7 A, 0.04 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1640 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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572+0.4 EUR
585+0.37 EUR
596+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 562 Stücke
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB48EPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.7 A, 0.04 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Description: MOSFET P-CH 30V 4.7A DFN2020MD-6
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Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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14+1.57 EUR
22+0.98 EUR
50+0.71 EUR
100+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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