PMPB95ENEA/FX Nexperia
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Technische Details PMPB95ENEA/FX Nexperia
Description: NEXPERIA - PMPB95ENEA/FX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 2.8 A, 0.08 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote PMPB95ENEA/FX nach Preis ab 0.2 EUR bis 0.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||
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PMPB95ENEA/FX | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
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PMPB95ENEA/FX | Hersteller : NXP Semiconductors |
Description: NEXPERIA PMPB95ENEA - 80 V, SING Packaging: Bulk Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 40 V |
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PMPB95ENEA/FX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
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PMPB95ENEA/FX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMPB95ENEA/FX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB95ENEA/FX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 2.8 A, 0.08 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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PMPB95ENEA/FX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB95ENEA/FX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 2.8 A, 0.08 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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PMPB95ENEA/FX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PMPB95ENEA/FX | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs PMPB95ENEA/SOT1220/SOT1220 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| PMPB95ENEA/FX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 1.8A; Idm: 11.2A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 1.8A Pulsed drain current: 11.2A Case: DFN2020MD-6; SOT1220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 202mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: Trench Gate charge: 14.9nC |
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