PMT280ENEAX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.24 EUR |
| 2000+ | 0.23 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PMT280ENEAX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMT280ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.285 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 770mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote PMT280ENEAX nach Preis ab 0.2 EUR bis 0.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMT280ENEAX | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PMT280ENEA/SOT223/SC-73 |
auf Bestellung 107046 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMT280ENEAX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2730 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
PMT280ENEAX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMT280ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.285 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 770mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1408 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
PMT280ENEAX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMT280ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.285 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 770mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1408 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
PMT280ENEAX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
| PMT280ENEAX | Hersteller : NEXPERIA |
PMT280ENEAX SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |