| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.76 EUR |
| 10+ | 0.57 EUR |
| 100+ | 0.3 EUR |
| 500+ | 0.29 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| 2000+ | 0.17 EUR |
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Technische Details PMT560ENEAX Nexperia
Description: NEXPERIA - PMT560ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.527 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.527ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote PMT560ENEAX
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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PMT560ENEAX | NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PMT560ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.527 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.527ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PMT560ENEAX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMT560ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.527 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.527ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PMT560ENEAX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMT560ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.527 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 4Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.527ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PMT560ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.527 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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| PMT560ENEAX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMT560ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.527 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Description: NEXPERIA - PMT560ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.527 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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