Technische Details PMV164ENEAR Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMV164ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.218 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 640mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 640mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.164ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote PMV164ENEAR nach Preis ab 0.1 EUR bis 0.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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PMV164ENEAR | Nexperia |
MOSFETs SOT23 N-CH 60V 1.6A |
auf Bestellung 762 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMV164ENEAR | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMV164ENEAR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV164ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.218 ohm, TO-236AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 640mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV164ENEAR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV164ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.218 ohm, TO-236AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 640mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 640mW Bauform - Transistor: TO-236AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.164ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV164ENEAR |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT23 N-CH 60V 1.6A
MOSFETs SOT23 N-CH 60V 1.6A
auf Bestellung 762 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 0.65 EUR |
| 10+ | 0.39 EUR |
| 100+ | 0.18 EUR |
| 1000+ | 0.17 EUR |
| 3000+ | 0.13 EUR |
| 6000+ | 0.11 EUR |
| 9000+ | 0.1 EUR |
| PMV164ENEAR |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB
Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 0.69 EUR |
| 49+ | 0.43 EUR |
| 68+ | 0.31 EUR |
| 100+ | 0.27 EUR |
| 500+ | 0.2 EUR |
| PMV164ENEAR |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV164ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.218 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PMV164ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.218 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 287+ | 0.87 EUR |
| 470+ | 0.5 EUR |
| 1053+ | 0.2 EUR |
| 1136+ | 0.19 EUR |
| PMV164ENEAR |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV164ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.218 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 640mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.164ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PMV164ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.218 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 640mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.164ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 287+ | 0.87 EUR |
| 470+ | 0.5 EUR |
| 1053+ | 0.2 EUR |
| 1136+ | 0.19 EUR |




