PMV164ENEAR Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 218mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta), 5.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.11 EUR |
| 6000+ | 0.092 EUR |
| 9000+ | 0.085 EUR |
| 15000+ | 0.082 EUR |
| 21000+ | 0.08 EUR |
| 30000+ | 0.077 EUR |
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Technische Details PMV164ENEAR Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMV164ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.218 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 640mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 640mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.164ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote PMV164ENEAR nach Preis ab 0.084 EUR bis 0.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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PMV164ENEAR | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs SOT23 N-CH 60V 1.6A |
auf Bestellung 762 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMV164ENEAR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 218mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 640mW (Ta), 5.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 56202 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMV164ENEAR | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV164ENEAR | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV164ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.218 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 640mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV164ENEAR | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV164ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.218 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 640mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 640mW Bauform - Transistor: TO-236AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.164ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV164ENEAR | Hersteller : NEXPERIA |
PMV164ENEAR SMD N channel transistors |
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