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PMV20ENR

PMV20ENR Nexperia

pmv20en.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PMV20ENR Nexperia

Description: NEXPERIA - PMV20ENR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.017 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 510mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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PMV20ENR PMV20ENR Hersteller : Nexperia pmv20en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV20ENR PMV20ENR Hersteller : Nexperia USA Inc. PMV20EN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
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3000+0.11 EUR
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PMV20ENR PMV20ENR Hersteller : Nexperia pmv20en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV20ENR PMV20ENR Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949FFA5E10578747&compId=PMV20EN.pdf?ci_sign=3f3093ca4db4a9a191a47bf829f68fb7d5e726b7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.8A; 1.2W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4344 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
234+0.31 EUR
317+0.23 EUR
368+0.19 EUR
556+0.13 EUR
589+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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PMV20ENR PMV20ENR Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949FFA5E10578747&compId=PMV20EN.pdf?ci_sign=3f3093ca4db4a9a191a47bf829f68fb7d5e726b7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.8A; 1.2W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PMV20ENR PMV20ENR Hersteller : Nexperia USA Inc. PMV20EN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
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24+0.74 EUR
39+0.45 EUR
100+0.23 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.16 EUR
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PMV20ENR PMV20ENR Hersteller : Nexperia PMV20EN.pdf MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
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10+0.47 EUR
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PMV20ENR PMV20ENR Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003060007-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV20ENR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.017 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PMV20ENR PMV20ENR Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003060007-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV20ENR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.017 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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