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PMV30ENEAR

PMV30ENEAR Nexperia

pmv30enea.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 4.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PMV30ENEAR Nexperia

Description: NEXPERIA - PMV30ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.8 A, 0.023 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 8.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 8.3W, Bauform - Transistor: TO-236AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PMV30ENEAR PMV30ENEAR Nexperia pmv30enea.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 4.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV30ENEAR PMV30ENEAR NEXPERIA 2805078.pdf Description: NEXPERIA - PMV30ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.8 A, 0.023 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.3W
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3019 Stücke:
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371+0.68 EUR
486+0.48 EUR
705+0.31 EUR
794+0.27 EUR
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Mindestbestellmenge: 371 Stücke
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PMV30ENEAR PMV30ENEAR NEXPERIA 2805078.pdf Description: NEXPERIA - PMV30ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.8 A, 0.023 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
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Verlustleistung Pd: 8.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
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Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV30ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.8 A, 0.023 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.3W
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Description: NEXPERIA - PMV30ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.8 A, 0.023 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 8.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.3W
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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