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PMV32UP,215

PMV32UP.pdf
Produktcode: 188518
Hersteller:
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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PMV32UP,215 PMV32UP,215 Hersteller : Nexperia 2119129069403233pmv32up.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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PMV32UP,215 PMV32UP,215 Hersteller : Nexperia 2119129069403233pmv32up.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV32UP,215 PMV32UP,215 Hersteller : NEXPERIA PMV32UP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; 930mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2626 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
199+0.36 EUR
217+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 173
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PMV32UP,215 PMV32UP,215 Hersteller : NEXPERIA PMV32UP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; 930mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PMV32UP,215 PMV32UP,215 Hersteller : Nexperia PMV32UP.pdf MOSFETs PMV32UP/SOT23/TO-236AB
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1000+0.27 EUR
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PMV32UP,215 PMV32UP,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002884539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV32UP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1976 Stücke:
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PMV32UP,215 PMV32UP,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002884539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV32UP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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PMV32UP,215 PMV32UP,215 Hersteller : NEXPERIA 2119129069403233pmv32up.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PMV32UP,215 Hersteller : NXP PMV32UP.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin TO-236AB PMV32UP,215 TPMV32up
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 100
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PMV32UP,215 PMV32UP,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMV32UP.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V
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PMV32UP,215 PMV32UP,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMV32UP.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V
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L-934YD
Produktcode: 114130
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L-934YD
Hersteller: Kingbright
LEDs > LEDs sichtbare Spektrum Ausführungs-
Farbe (Wellenlänge): жовтий
Gehäuse: 3 mm
Linse, Typ: дифузна
Spannungsfall, V: 2,1 V
Lichtstärke / Lichtstrom: 15 mcd
Lichtwinkel: 60°
Analogon: Кругла
ZCODE: 588 nm
auf Bestellung 499 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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510 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1735
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RC_series.pdf
510 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 510 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 27600 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.0038 EUR
100+0.0024 EUR
1000+0.0017 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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Taste SWT-2/9,5 (KLS7-TS6601-H=9,5)
Produktcode: 36772
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SWT-2xx.JPG
Taste SWT-2/9,5 (KLS7-TS6601-H=9,5)
Hersteller: KLS
Passive Bauelemente > Tasten/Knöpfe und Tastatur
Gruppe: Taste
Ausgabe/SMD: THT
Abmessungen, mm: 6х6mm
Stammhöhe, mm: 9,5mm
Beschreibung: Taste Takt Ausgabe 6х6mm
Контакти: SPST-NO
Алгоритм роботи: OFF-(ON)
auf Bestellung 2351 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 100 Stück:
Anzahl Preis
1+0.16 EUR
10+0.12 EUR
100+0.067 EUR
1000+0.062 EUR
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MER 220nF 630V K(+/-10%), P=20mm; 10,5x16,5x24mm (MER224K2JB-Hitano)
Produktcode: 41906
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MER_070523.pdf
MER 220nF 630V K(+/-10%), P=20mm; 10,5x16,5x24mm (MER224K2JB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 220nF
Nennspannung, V: 630VDC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=20mm, 10,5x16,5x24mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER224K2JB
ZCODE: 8532 29 00 00
verfügbar: 426 Stück
35 Stück - stock Köln
391 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 1000 Stück
1000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
1+0.28 EUR
10+0.25 EUR
100+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
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Sicherung mit den Schlussfolgerungen 1А (KLS5-1005-1000), schnell
Produktcode: 98448
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kls5-1005.pdf
Sicherung mit den Schlussfolgerungen 1А (KLS5-1005-1000), schnell
Hersteller: KLS
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Sicherung schnell, axial 1A 250V, 3,6x10mm
Nennstrom, А: 1A
Größe: 3,6x10mm; D-Schlussflg.=0,6mm
Bemerkung: З виводами
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
auf Bestellung 2768 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.15 EUR
10+0.11 EUR
100+0.09 EUR
1000+0.078 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH