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PMV32UP,215

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PMV32UP,215 PMV32UP,215 Nexperia 2119129069403233pmv32up.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV32UP,215 PMV32UP,215 Nexperia 2119129069403233pmv32up.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV32UP,215 PMV32UP,215 NEXPERIA PMV32UP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; 930mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15.5nC
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PMV32UP,215 PMV32UP,215 NEXPERIA PMV32UP.pdf Description: NEXPERIA - PMV32UP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 510mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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PMV32UP,215 NXP PMV32UP.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin TO-236AB PMV32UP,215 TPMV32up
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
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PMV32UP,215
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Nexperia
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PMV32UP,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; 930mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15.5nC
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PMV32UP,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV32UP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 510mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
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Hersteller: NXP
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin TO-236AB PMV32UP,215 TPMV32up
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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KX-KT 8.0 MHz (Quarzresonator)
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Gehäuse: HC-49/S-SMD (QSMD12.3x4.5x4.2)
Typ: Quarzresonator
Lastkapazität, pF: 16 пФ
Stabilität bei 25°C: +/-30ppm
Montage: SMD
HS-Code: 8541 60 00 00
auf Bestellung: 413 St.
  • 413 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SMBJ6.0A-TR
Produktcode: 28284
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SMBJ6.0A-TR
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Gehäuse: SMB (DO-214AA)
Spitzenleistung, P, W: 600 Вт
Durchbruchspannung, Vbr: 7,05 В
Sperrspannung, Vrm: 6 В
Leckstrom, Irm: 50 мкА
Diodenbauart: Unidirektional
Montage: SMD
auf Bestellung: 48 St.
  • 48 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.18 EUR
10+0.15 EUR
100+0.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LM2904DR (TI, SO-8)
Produktcode: 27964
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LM2904DR (TI, SO-8)
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Vc, V: 3...32 V
Bandbreite BW, MHz: 0,7 MHz
Offsetspannung Vio, mV: 7 mV
Anstiegsrate, V/µs: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: -40...+125°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 2
Anzahl Kanäle: 2
Montage: SMD
auf Bestellung: 767 St.
  • 767 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.26 EUR
100+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
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BZV55-C10
Produktcode: 7857
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BZV55.pdf
BZV55-C10
Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
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Montage: SMD
Temperaturkoeffizient: 6,4 mV/K
HS-Code: 8541 10 00 90
verfügbar: 300 St.
  • 300 St. - stock Köln
auf Bestellung: 284 St.
  • 284 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.079 EUR
10+0.043 EUR
100+0.031 EUR
1000+0.024 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
47uF 25V ELV SMD sizeC (ELV470M25RC) (elektrolytischer Kondensator SMD)
Produktcode: 7002
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ELV_090806.pdf
47uF 25V ELV SMD sizeC (ELV470M25RC) (elektrolytischer Kondensator SMD)
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  • 148 St. - stock Köln
auf Bestellung: 709 St.
  • 709 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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1000+0.06 EUR
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