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PMV32UP,215

PMV32UP,215 Nexperia

2119129069403233pmv32up.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PMV32UP,215 Nexperia

Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V.

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PMV32UP,215 PMV32UP,215 Hersteller : Nexperia 2119129069403233pmv32up.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV32UP,215 PMV32UP,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMV32UP.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V
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PMV32UP,215 PMV32UP,215 Hersteller : Nexperia PMV32UP.pdf MOSFETs 20 V, 4 A P-channel Trench MOSFET
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PMV32UP,215 PMV32UP,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMV32UP.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V
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PMV32UP,215 PMV32UP,215 Hersteller : NEXPERIA 2119129069403233pmv32up.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV32UP,215 Hersteller : NEXPERIA PMV32UP.pdf PMV32UP.215 SMD P channel transistors
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PMV32UP,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002884539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV32UP,215 - MOSFET, P-KANAL, 20V, 4A, SOT23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PMV32UP,215
Produktcode: 188518
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