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PMV32UP,215

PMV32UP.pdf
Produktcode: 188518
Hersteller:
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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PMV32UP,215 PMV32UP,215 Hersteller : Nexperia 2119129069403233pmv32up.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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PMV32UP,215 PMV32UP,215 Hersteller : Nexperia 2119129069403233pmv32up.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV32UP,215 PMV32UP,215 Hersteller : NEXPERIA PMV32UP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; 930mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2521 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
199+0.36 EUR
217+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 173
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PMV32UP,215 PMV32UP,215 Hersteller : NEXPERIA PMV32UP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; 930mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PMV32UP,215 PMV32UP,215 Hersteller : Nexperia PMV32UP.pdf MOSFETs PMV32UP/SOT23/TO-236AB
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1000+0.24 EUR
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PMV32UP,215 Hersteller : NXP PMV32UP.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin TO-236AB PMV32UP,215 TPMV32up
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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PMV32UP,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002884539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV32UP,215 - MOSFET, P-KANAL, 20V, 4A, SOT23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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PMV32UP,215 PMV32UP,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMV32UP.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V
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PMV32UP,215 PMV32UP,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMV32UP.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V
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KX-KT 8.0 MHz (Quarz Resonator)
Produktcode: 33015
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Model-KX-K.pdf?langSel=2
KX-KT 8.0 MHz (Quarz Resonator)
Hersteller: Geyer
Quarz- und keramische > Quarz- und keramische Resonatoren und Generatoren
Frequenz: 8 MHz
Gehäuse: QSMD12.3x4.5x4.2
Typ: Quarz Resonator
16 pF
Стабільність при 25°C: +/-30ppm
Монтаж: SMD
№ 7: 8541600000
auf Bestellung 618 St.:
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SMBJ6.0A-TR
Produktcode: 28284
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cd00001366.pdf
SMBJ6.0A-TR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: SMB (DO-214AA)
P, Wt: 600 W
U Durchbruch: 7,05 V
n: 6 V
n: 50 µA
n: Односпрямований
Монтаж: SMD
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LM2904DT
Produktcode: 27964
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en.CD00000535.pdf
LM2904DT
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SO-8
Vc, V: 3…32V
BW, MHz: 0.7
Vio, mV(Biasspannung): 7
Geschw. Nar., V/mks: 0,3
Temperaturbereich: -40…+125°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 2
ZCODE: 8542 33 00 00
Монтаж: SMD
auf Bestellung 961 St.:
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BZV55-C10
Produktcode: 7857
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BZV55.pdf
BZV55-C10
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 10
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 6.4 mV/K
№ 6: 8541100090
verfügbar: 1205 St.
300 St. - stock Köln
905 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.023 EUR
1000+0.018 EUR
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47uF 25V ELV SMD sizeC (ELV470M25RC)
Produktcode: 7002
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ELV_090806.pdf
47uF 25V ELV SMD sizeC (ELV470M25RC)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische SMD
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 25V
Reihe: ELV-SMD
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: SMD size C
Макс.пульс.струм: 60mA
verfügbar: 1404 St.
148 St. - stock Köln
1256 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.12 EUR
10+0.092 EUR
100+0.055 EUR
1000+0.05 EUR
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