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PMV32UP,215

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PMV32UP,215 PMV32UP,215 NEXPERIA PMV32UP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; 930mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+0.49 EUR
199+0.43 EUR
217+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
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PMV32UP,215 PMV32UP,215 Nexperia PMV32UP.pdf MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
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4+1.05 EUR
10+0.64 EUR
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PMV32UP,215 NXP PMV32UP.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin TO-236AB PMV32UP,215 TPMV32up
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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PMV32UP,215 NEXPERIA NEXP-S-A0002884539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV32UP,215 - MOSFET, P-KANAL, 20V, 4A, SOT23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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PMV32UP,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; 930mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
173+0.49 EUR
199+0.43 EUR
217+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
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PMV32UP,215
Hersteller: Nexperia
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
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AnzahlPrivatkunde
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10+0.64 EUR
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Hersteller: NXP
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin TO-236AB PMV32UP,215 TPMV32up
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
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PMV32UP,215 NEXP-S-A0002884539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV32UP,215 - MOSFET, P-KANAL, 20V, 4A, SOT23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Produktcode: 33015
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Frequenz: 8 MHz
Gehäuse: QSMD12.3x4.5x4.2
Typ: Quarz Resonator
16 pF
Стабільність при 25°C: +/-30ppm
Монтаж: SMD
№ 7: 8541600000
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10+0.63 EUR
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SMBJ6.0A-TR
Produktcode: 28284
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SMBJ6.0A-TR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: SMB (DO-214AA)
P, Wt: 600 W
U Durchbruch: 7,05 V
n: 6 V
n: 50 µA
n: Односпрямований
Монтаж: SMD
auf Bestellung 129 St.:
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LM2904DT
Produktcode: 27964
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en.CD00000535.pdf
LM2904DT
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SO-8
Vc, V: 3…32V
BW, MHz: 0.7
Vio, mV(Biasspannung): 7
Geschw. Nar., V/mks: 0,3
Temperaturbereich: -40…+125°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 2
ZCODE: 8542 33 00 00
Монтаж: SMD
auf Bestellung 859 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.29 EUR
10+0.26 EUR
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BZV55-C10
Produktcode: 7857
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BZV55.pdf
BZV55-C10
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 10
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 6.4 mV/K
№ 6: 8541100090
verfügbar: 594 St.
  • 300 St. - stock Köln
  • 294 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+0.048 EUR
10+0.036 EUR
100+0.027 EUR
1000+0.021 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
47uF 25V ELV SMD sizeC (ELV470M25RC) (Elektrolytkondensator SMD)
Produktcode: 7002
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ELV_090806.pdf
47uF 25V ELV SMD sizeC (ELV470M25RC) (Elektrolytkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische SMD
Kapazität: 47 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: ELV, SMD
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: SMD size C
Max. Welligkeitsstrom: 60 mA
verfügbar: 807 St.
  • 148 St. - stock Köln
  • 659 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 50 St.
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    100+0.065 EUR
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