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PMV35EPER

PMV35EPER Nexperia

4283595881199375pmv35epe.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PMV35EPER Nexperia

Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PMV35EPER PMV35EPER Hersteller : Nexperia 4283595881199375pmv35epe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV35EPER PMV35EPER Hersteller : Nexperia 4283595881199375pmv35epe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV35EPER PMV35EPER Hersteller : Nexperia 4283595881199375pmv35epe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV35EPER PMV35EPER Hersteller : Nexperia USA Inc. PMV35EPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
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30+0.6 EUR
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500+0.31 EUR
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PMV35EPER PMV35EPER Hersteller : Nexperia PMV35EPE.pdf MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
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4+0.79 EUR
10+0.58 EUR
100+0.41 EUR
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3000+0.22 EUR
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Mindestbestellmenge: 4
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PMV35EPER PMV35EPER Hersteller : NEXPERIA PMV35EPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -17A; ESD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 19.2nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -17A
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 67mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1918 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
128+0.56 EUR
158+0.45 EUR
184+0.39 EUR
228+0.31 EUR
241+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 76
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PMV35EPER PMV35EPER Hersteller : NEXPERIA PMV35EPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -17A; ESD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 19.2nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -17A
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 67mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
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PMV35EPER PMV35EPER Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003074133-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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PMV35EPER PMV35EPER Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003074133-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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PMV35EPER PMV35EPER Hersteller : NEXPERIA 4283595881199375pmv35epe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV35EPER
Produktcode: 187543
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PMV35EPE.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 5,3 A
Rds(on),Om: 35 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 793/12.8
Produkt ist nicht verfügbar
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PMV35EPER PMV35EPER Hersteller : Nexperia USA Inc. PMV35EPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
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Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
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