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PMV35EPER

PMV35EPE.pdf
Produktcode: 187543
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Hersteller:
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Id, A: 5,3 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 35 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 793/12,8
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PMV35EPER PMV35EPER Nexperia 4283595881199375pmv35epe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV35EPER PMV35EPER Nexperia 4283595881199375pmv35epe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV35EPER PMV35EPER Nexperia 4283595881199375pmv35epe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV35EPER PMV35EPER NEXPERIA NEXP-S-A0003074133-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2773 Stücke:
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260+0.96 EUR
310+0.75 EUR
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PMV35EPER PMV35EPER NEXPERIA NEXP-S-A0003074133-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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260+0.96 EUR
310+0.75 EUR
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PMV35EPER
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV35EPER
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Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV35EPER
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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PMV35EPER
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
260+0.96 EUR
310+0.75 EUR
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