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PMV50UPE,215

PMV50UPE,215 Nexperia

PMV50UPE.pdf
Produktcode: 215731
Hersteller: Nexperia
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 50 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 24/10,5
Gebr.: 20 V, single P-channel Trench MOSFET
/: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PMV50UPE,215 PMV50UPE,215 Hersteller : Nexperia PMV50UPE-1319083.pdf MOSFET PMV50UPE/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 14925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.74 EUR
10+0.57 EUR
100+0.36 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.17 EUR
9000+0.14 EUR
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PMV50UPE,215 PMV50UPE,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMV50UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V
auf Bestellung 4531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+0.9 EUR
33+0.55 EUR
50+0.4 EUR
100+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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PMV50UPE,215 PMV50UPE,215 Hersteller : NEXPERIA PMV50UPE.pdf Description: NEXPERIA - PMV50UPE,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 955mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PMV50UPE,215 PMV50UPE,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMV50UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V
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