PMV90ENE Nexperia
Produktcode: 215730
Hersteller: NexperiaGehäuse: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 3,7 A
Rds(on), Ohm: 54 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 160/3,6
Bem.: 30 V, N-channel Trench MOSFET
JHGF: SMD
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25 St. - erwartet 30.04.2026
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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PMV90ENER | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV90ENER | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV90ENER | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV90ENER | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV90ENER | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V |
auf Bestellung 1279 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMV90ENER | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs SOT23 N-CH 30V 3A |
auf Bestellung 174 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMV90ENER | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV90ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.054 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 460mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm |
auf Bestellung 8405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV90ENER | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |