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PMV90ENE

PMV90ENE Nexperia

PMV90ENE.pdf
Produktcode: 215730
Hersteller: Nexperia
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 3,7 A
Rds(on), Ohm: 54 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 160/3,6
Bem.: 30 V, N-channel Trench MOSFET
JHGF: SMD
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PMV90ENER PMV90ENER Hersteller : Nexperia 580174513813459pmv90ene.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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PMV90ENER PMV90ENER Hersteller : Nexperia 580174513813459pmv90ene.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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PMV90ENER PMV90ENER Hersteller : Nexperia 580174513813459pmv90ene.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV90ENER PMV90ENER Hersteller : NEXPERIA PMV90ENE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
205+0.35 EUR
240+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 167
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PMV90ENER PMV90ENER Hersteller : NEXPERIA PMV90ENE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
auf Bestellung 384 Stücke:
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167+0.43 EUR
205+0.35 EUR
240+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 167
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PMV90ENER PMV90ENER Hersteller : Nexperia USA Inc. PMV90ENE.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
auf Bestellung 1644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+0.72 EUR
39+0.45 EUR
54+0.33 EUR
100+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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PMV90ENER PMV90ENER Hersteller : Nexperia PMV90ENE.pdf MOSFETs SOT23 N-CH 30V 3A
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.8 EUR
10+0.49 EUR
50+0.35 EUR
100+0.31 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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PMV90ENER PMV90ENER Hersteller : NEXPERIA PMV90ENE.pdf Description: NEXPERIA - PMV90ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.054 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 460mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
auf Bestellung 8405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PMV90ENER PMV90ENER Hersteller : NEXPERIA 580174513813459pmv90ene.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV90ENER PMV90ENER Hersteller : Nexperia USA Inc. PMV90ENE.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
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