PMX100UNZ Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PMX100UN/SOT8013/DFN0603-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 144 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details PMX100UNZ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMX100UNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: DFN0603, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.122ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PMX100UNZ nach Preis ab 0.18 EUR bis 1.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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PMX100UNZ | Nexperia USA Inc. |
Description: PMX100UN/SOT8013/DFN0603-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 144 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 0201 (0603 Metric) Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 22400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMX100UNZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMX100UNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: DFN0603 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 327 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMX100UNZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMX100UNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: DFN0603 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.122ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 327 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMX100UNZ | Nexperia |
MOSFETs SOT8013 N-CH 20V 1.3 A |
auf Bestellung 28102 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMX100UNZ |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PMX100UN/SOT8013/DFN0603-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 144 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: PMX100UN/SOT8013/DFN0603-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 144 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
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| 24+ | 0.88 EUR |
| 39+ | 0.55 EUR |
| 100+ | 0.35 EUR |
| 500+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| 2000+ | 0.2 EUR |
| 5000+ | 0.18 EUR |
| PMX100UNZ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMX100UNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
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Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: DFN0603
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PMX100UNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 249+ | 1 EUR |
| PMX100UNZ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMX100UNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage
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Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PMX100UNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: DFN0603
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
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Produktpalette: Trench
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Kanaltyp: n-Kanal
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 249+ | 1 EUR |
| PMX100UNZ |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT8013 N-CH 20V 1.3 A
MOSFETs SOT8013 N-CH 20V 1.3 A
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| 500+ | 0.33 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
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| 5000+ | 0.19 EUR |