PMXB40UNEZ Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 556 pF @ 10 V
auf Bestellung 4987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 28+ | 0.65 EUR |
| 38+ | 0.47 EUR |
| 100+ | 0.29 EUR |
| 500+ | 0.20 EUR |
| 1000+ | 0.17 EUR |
| 2000+ | 0.16 EUR |
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Technische Details PMXB40UNEZ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMXB40UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.034 ohm, DFN1010D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: DFN1010D, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote PMXB40UNEZ nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.70 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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PMXB40UNEZ | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PMXB40UNE/SOT1215/DFN1010D-3 |
auf Bestellung 21648 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMXB40UNEZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMXB40UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.034 ohm, DFN1010D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: DFN1010D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 15266 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMXB40UNEZ | Hersteller : NXP |
Trans MOSFET N-CH 12V 3.2A 3-Pin DFN-D EP PMXB40UNEZ TPMXB40u Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PMXB40UNEZ | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 12V 3.2A Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| PMXB40UNEZ | Hersteller : NEXPERIA |
PMXB40UNEZ SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PMXB40UNEZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1010D-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 556 pF @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |