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PMXB65ENEZ

PMXB65ENEZ Nexperia USA Inc.

PMXB65ENE.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
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Technische Details PMXB65ENEZ Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V.

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PMXB65ENEZ PMXB65ENEZ Hersteller : Nexperia PMXB65ENE-2939009.pdf MOSFET PMXB65ENE/SOT1215/DFN1010D-3
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PMXB65ENEZ PMXB65ENEZ Hersteller : Nexperia USA Inc. PMXB65ENE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
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PMXB65ENEZ PMXB65ENEZ Hersteller : NEXPERIA 4493349071840252pmxb65ene.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
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PMXB65ENEZ PMXB65ENEZ Hersteller : Nexperia 4493349071840252pmxb65ene.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
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PMXB65ENEZ Hersteller : NEXPERIA PMXB65ENE.pdf PMXB65ENEZ SMD N channel transistors
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