PMZ130UNEYL Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
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Technische Details PMZ130UNEYL Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.12 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 350, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote PMZ130UNEYL nach Preis ab 0.17 EUR bis 0.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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PMZ130UNEYL | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PMZ130UNE/SOT883/XQFN3 |
auf Bestellung 53702 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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PMZ130UNEYL | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V |
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PMZ130UNEYL | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.12 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700 euEccn: NLR Verlustleistung: 350 Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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PMZ130UNEYL | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.12 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 350 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 23458 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMZ130UNEYL | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ130UNEYL | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 8A Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 1.6nC Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 8A Mounting: SMD Case: DFN1006-3; SOT883 Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.2A On-state resistance: 0.22Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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| PMZ130UNEYL | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 8A Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 1.6nC Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 8A Mounting: SMD Case: DFN1006-3; SOT883 Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.2A On-state resistance: 0.22Ω Type of transistor: N-MOSFET |
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