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PMZ290UNE2YL

PMZ290UNE2YL Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R
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Technische Details PMZ290UNE2YL Nexperia

Description: NEXPERIA - PMZ290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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PMZ290UNE2YL PMZ290UNE2YL Nexperia PMZ290UNE2.pdf MOSFETs SOT883 N-CH 20V 1.2A
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PMZ290UNE2YL PMZ290UNE2YL NEXPERIA NEXP-S-A0003101008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMZ290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PMZ290UNE2YL PMZ290UNE2YL NEXPERIA NEXP-S-A0003101008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMZ290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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PMZ290UNE2YL Nexperia PMZ290UNE2.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 46, Qg, нКл = 1,4, Rds = 320 мА, Ugs(th) = 950 мВ, Р, Вт = 5,43, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-883 Од. вим: шт
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R
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Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R
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Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R
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Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 3635 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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MOSFETs SOT883 N-CH 20V 1.2A
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100+0.14 EUR
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PMZ290UNE2YL
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMZ290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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AnzahlPrivatkunde
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453+0.51 EUR
715+0.3 EUR
1606+0.13 EUR
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PMZ290UNE2YL
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMZ290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 11432 Stücke:
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614+0.35 EUR
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N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 46, Qg, нКл = 1,4, Rds = 320 мА, Ugs(th) = 950 мВ, Р, Вт = 5,43, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-883 Од. вим: шт
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