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PMZ370UNEYL

PMZ370UNEYL Nexperia USA Inc.


PMZ370UNE.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
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Technische Details PMZ370UNEYL Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-883, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PMZ370UNEYL PMZ370UNEYL Hersteller : Nexperia 4374471656643985pmz370une.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
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PMZ370UNEYL PMZ370UNEYL Hersteller : Nexperia 4374471656643985pmz370une.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
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PMZ370UNEYL PMZ370UNEYL Hersteller : Nexperia USA Inc. PMZ370UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
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PMZ370UNEYL PMZ370UNEYL Hersteller : Nexperia PMZ370UNE.pdf MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
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PMZ370UNEYL Hersteller : NEXPERIA PMZ370UNE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 560mA; Idm: 3.6A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.56A
Pulsed drain current: 3.6A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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PMZ370UNEYL PMZ370UNEYL Hersteller : NEXPERIA 4374471656643985pmz370une.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
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PMZ370UNEYL Hersteller : NEXPERIA PMZ370UNE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 560mA; Idm: 3.6A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.56A
Pulsed drain current: 3.6A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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