Technische Details PMZB150UNEYL Nexperia USA Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1A; Idm: 6A, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 1A, Pulsed drain current: 6A, Case: DFN1006B-3; SOT883B, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 0.28Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Technology: Trench, Gate charge: 1.6nC.
Weitere Produktangebote PMZB150UNEYL
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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PMZB150UNEYL | Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PMZB150UNEYL | Nexperia |
MOSFETs PMZB150UNE/SOT883B/XQFN3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PMZB150UNEYL | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1A; Idm: 6A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1A Pulsed drain current: 6A Case: DFN1006B-3; SOT883B Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: Trench Gate charge: 1.6nC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PMZB150UNEYL |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3
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Stück im Wert von UAH
| PMZB150UNEYL |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs PMZB150UNE/SOT883B/XQFN3
MOSFETs PMZB150UNE/SOT883B/XQFN3
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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| PMZB150UNEYL |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 6A
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Gate charge: 1.6nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 6A
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Gate charge: 1.6nC
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