Technische Details PMZB600UNELYL Nexperia USA Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: Trench, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 0.4A, Pulsed drain current: 2.5A, Case: DFN1006B-3; SOT883B, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 1Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 0.7nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote PMZB600UNELYL
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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PMZB600UNELYL | Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PMZB600UNELYL | Nexperia |
MOSFETs PMZB600UNEL/SOT883B/XQFN3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PMZB600UNELYL | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.4A Pulsed drain current: 2.5A Case: DFN1006B-3; SOT883B Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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PMZB600UNELYL | Nexperia |
N-channel Trench MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PMZB600UNELYL |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
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Im Einkaufswagen
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| PMZB600UNELYL |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs PMZB600UNEL/SOT883B/XQFN3
MOSFETs PMZB600UNEL/SOT883B/XQFN3
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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| PMZB600UNELYL |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| PMZB600UNELYL |
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Hersteller: Nexperia
N-channel Trench MOSFET
N-channel Trench MOSFET
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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