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PN2907ABU

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Sicherungen > Thermosicherungen

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
PN2907ABU PN2907ABU ON Semiconductor pn2907a-fsc-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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PN2907ABU PN2907ABU onsemi pzt2907a-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
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39+0.46 EUR
61+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
2000+0.11 EUR
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PN2907ABU PN2907ABU onsemi pzt2907a-d.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
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PN2907ABU PN2907ABU ONSEMI ONSM-S-A0013274681-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - PN2907ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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PN2907ABU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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PN2907ABU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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PN2907ABU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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PN2907ABU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 24000 Stücke:
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AnzahlPreis
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5000+0.098 EUR
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PN2907ABU
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 16591 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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PN2907ABU
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
auf Bestellung 53745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
6+0.47 EUR
10+0.29 EUR
100+0.18 EUR
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PN2907ABU ONSM-S-A0013274681-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PN2907ABU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2907ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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