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PQMD10Z

PQMD10Z Nexperia

PQMD10.pdf Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 kohm, R2 = 47 kohm
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Technische Details PQMD10Z Nexperia

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 230mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 230MHz, 180MHz, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: DFN1010B-6, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PQMD10Z PQMD10Z Hersteller : Nexperia USA Inc. PQMD10.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 230mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 230MHz, 180MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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PQMD10Z Hersteller : NEXPERIA PQMD10.pdf Description: NEXPERIA - PQMD10Z - INTEGRATED PASSIVE FILTERS
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PQMD10Z PQMD10Z Hersteller : NEXPERIA 4379285866522334pqmd10.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-1.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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PQMD10Z Hersteller : NEXPERIA PQMD10.pdf PQMD10Z Complementary transistors
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PQMD10Z PQMD10Z Hersteller : Nexperia USA Inc. PQMD10.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 230mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 230MHz, 180MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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