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PQMD12Z

PQMD12Z Nexperia USA Inc.

PQMD12.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 230MHz, 180MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: DFN1010B-6
auf Bestellung 58911 Stücke:
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Technische Details PQMD12Z Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 350mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 230MHz, 180MHz, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: DFN1010B-6.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PQMD12Z PQMD12Z Nexperia PQMD12.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT1216 50V .1A NPN/PNP RET
auf Bestellung 162 Stücke:
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6+0.6 EUR
10+0.55 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
2500+0.15 EUR
5000+0.1 EUR
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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT1216 50V .1A NPN/PNP RET
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