auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 52+ | 2.87 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PSC1065HJ Nexperia
Description: NEXPERIA - PSC1065HJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 22 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 22nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote PSC1065HJ nach Preis ab 2.37 EUR bis 5.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSC1065HJ | Hersteller : Nexperia |
 Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK R2P T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
PSC1065HJ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO2522 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 400V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V |
auf Bestellung 1968 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
PSC1065HJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSC1065HJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 22 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 22nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
|
|
PSC1065HJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSC1065HJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 22 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kapazitive Gesamtladung: 22nC rohsCompliant: Y-EX Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
|
|
PSC1065HJ | Hersteller : Nexperia |
Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK R2P T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
 |
PSC1065HJ | Hersteller : NEXPERIA |
Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK R2P T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
|
|
PSC1065HJ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO2522 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 400V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
 |
PSC1065HJ | Hersteller : Nexperia |
SiC Schottky Diodes 650 V, 10 A SiC Schottky diode in TO-220-2 R2P |
Produkt ist nicht verfügbar |