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PSC1065HJ

PSC1065HJ NEXPERIA

4190493.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSC1065HJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 22 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.06 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.4 EUR
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Technische Details PSC1065HJ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSC1065HJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 22 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 22nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSC1065HJ PSC1065HJ Nexperia psc1065h.pdf Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK R2P T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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PSC1065HJ PSC1065HJ Nexperia psc1065h.pdf Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK R2P T/R
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PSC1065HJ PSC1065HJ Nexperia USA Inc. PSC1065H.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
auf Bestellung 1711 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.83 EUR
10+4.45 EUR
50+3.43 EUR
100+3.11 EUR
500+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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PSC1065HJ PSC1065HJ NEXPERIA 4190493.pdf Description: NEXPERIA - PSC1065HJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 22 nC, TO-252 (DPAK)
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Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
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Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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63+3.69 EUR
100+3.06 EUR
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Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK R2P T/R
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PSC1065HJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSC1065HJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 22 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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