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PSDB0860S1_T0_00001

PSDB0860S1_T0_00001 Panjit International Inc.

PSDB0860S1.pdf
Hersteller: Panjit International Inc.
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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Technische Details PSDB0860S1_T0_00001 Panjit International Inc.

Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 8 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: TO-263, Current - Average Rectified (Io): 8A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 55 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSDB0860S1_T0_00001 PSDB0860S1_T0_00001 Panjit PSDB0860S1.pdf Rectifiers 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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