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PSDB0860S1_T0_00001

PSDB0860S1_T0_00001 Panjit International Inc.

PSDB0860S1.pdf
Hersteller: Panjit International Inc.
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
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Technische Details PSDB0860S1_T0_00001 Panjit International Inc.

Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 55 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSDB0860S1_T0_00001 PSDB0860S1_T0_00001 Panjit PSDB0860S1.pdf Rectifiers 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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