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Technische Details PSMN011-100YSFX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN011-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79.5 A, 8800 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 152W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote PSMN011-100YSFX
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PSMN011-100YSFX | Hersteller : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PSMN011-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79.5 A, 8800 µohm, LFPAK56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 152W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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PSMN011-100YSFX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN011-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79.5 A, 8800 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 152W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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| PSMN011-100YSFX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 79.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN011-100YSFX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 79.5A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 152W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2258 pF @ 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMN011-100YSFX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 79.5A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 152W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2258 pF @ 50 V |
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PSMN011-100YSFX | Hersteller : Nexperia |
MOSFET 100V N-CH NEXTPOWER IN LFP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| PSMN011-100YSFX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26.2A; Idm: 318A; 152W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 26.2A Pulsed drain current: 318A Power dissipation: 152W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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