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PSMN011-60HLX Nexperia


PSMN011-60HL.pdf
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 35A
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Technische Details PSMN011-60HLX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN011-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 35 A, 35 A, 0.00115 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 68W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00115ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 68W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
PSMN011-60HLX PSMN011-60HLX NEXPERIA 3791098.pdf Description: NEXPERIA - PSMN011-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 35 A, 35 A, 0.00115 ohm
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Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Hersteller: NEXPERIA
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN011-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 35 A, 35 A, 0.00115 ohm
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