PSMN011-80YS,115 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 67A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1500+ | 0.85 EUR |
| 3000+ | 0.80 EUR |
| 4500+ | 0.78 EUR |
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Technische Details PSMN011-80YS,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN011-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 67 A, 0.008 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 67A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 117W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PSMN011-80YS,115 nach Preis ab 0.81 EUR bis 2.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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PSMN011-80YS,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 67A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN011-80YS,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 67A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN011-80YS,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs PSMN011-80YS/SOT669/LFPAK |
auf Bestellung 13142 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN011-80YS,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 67A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 117W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V |
auf Bestellung 11731 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN011-80YS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN011-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 67 A, 0.008 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 117W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN011-80YS,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 67A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMN011-80YS,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 67A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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| PSMN011-80YS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
PSMN011-80YS.115 SMD N channel transistors |
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