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PSMN013-100BS,118 Nexperia

Name: PSMN013-100BS,118
Brand: Nexperia
SKU: 6954034-5
Price: 416 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Technische Details PSMN013-100BS,118 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN013-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68 A, 0.0108 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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PSMN013-100BS,118

Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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134+	1.15 EUR
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PSMN013-100BS,118

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 50 V

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PSMN013-100BS,118

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Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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PSMN013-100BS,118

Hersteller : NEXPERIA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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Anzahl	Preis
40+	1.82 EUR
44+	1.64 EUR
54+	1.34 EUR
57+	1.27 EUR
800+	1.23 EUR
1600+	1.22 EUR

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PSMN013-100BS,118

Hersteller : NEXPERIA

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44+	1.64 EUR
54+	1.34 EUR
57+	1.27 EUR
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PSMN013-100BS,118

Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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PSMN013-100BS,118

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Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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70+	2.23 EUR
77+	1.96 EUR
81+	1.77 EUR
100+	1.49 EUR
250+	1.42 EUR
500+	1.35 EUR
1000+	1.28 EUR

Mindestbestellmenge: 70

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PSMN013-100BS,118

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 50 V

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5+	4.24 EUR
10+	2.74 EUR
100+	1.87 EUR

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PSMN013-100BS,118

Hersteller : NEXPERIA

NEXP-S-A0003059986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: NEXPERIA - PSMN013-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68 A, 0.0108 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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MOSFET PSMN013-100BS/SOT404/D2PAK

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