PSMN013-30MLC,115 NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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auf Bestellung 1412 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 68+ | 1.06 EUR |
| 76+ | 0.95 EUR |
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Technische Details PSMN013-30MLC,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN013-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0135 ohm, SC-100, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: SC-100, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PSMN013-30MLC,115 nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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PSMN013-30MLC,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A Pulsed drain current: 157A Power dissipation: 38W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1412 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN013-30MLC,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs PSMN013-30MLC/SOT1210/mLFPAK |
auf Bestellung 13277 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN013-30MLC,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 519 pF @ 15 V |
auf Bestellung 1445 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN013-30MLC,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN013-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0135 ohm, SC-100, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: SC-100 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1292 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN013-30MLC,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin LFPAK EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMN013-30MLC,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin LFPAK EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMN013-30MLC,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 519 pF @ 15 V |
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