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Technische Details PSMN013-40VLDX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN013-40VLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.01135 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01135ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 46W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01135ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 46W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote PSMN013-40VLDX
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PSMN013-40VLDX | Hersteller : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PSMN013-40VLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.01135 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01135ohm Verlustleistung, p-Kanal: 46W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01135ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 46W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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PSMN013-40VLDX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN013-40VLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.01135 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01135ohm Verlustleistung, p-Kanal: 46W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01135ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 46W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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PSMN013-40VLDX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 42A 8-Pin LFPAK-D T/R |
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| PSMN013-40VLDX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: NextPowerS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 30A Pulsed drain current: 169A Power dissipation: 46W Case: LFPAK56D; SOT1205 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| PSMN013-40VLDX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 42A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMN013-40VLDX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN013-40VLD - DUAL N-CHANNEL 4 |
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PSMN013-40VLDX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN013-40VLD - DUAL N-CHANNEL 4 |
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| PSMN013-40VLDX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: NextPowerS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 30A Pulsed drain current: 169A Power dissipation: 46W Case: LFPAK56D; SOT1205 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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