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PSMN014-80YLX

PSMN014-80YLX Nexperia USA Inc.

PSMN014-80YL.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Technische Details PSMN014-80YLX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN014-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 147W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSMN014-80YLX PSMN014-80YLX Nexperia 4387077819768298psmn014-80yl.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 62A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
374+1.75 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 374 Stücke
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PSMN014-80YLX PSMN014-80YLX Nexperia 4387077819768298psmn014-80yl.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 62A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN014-80YLX PSMN014-80YLX Nexperia USA Inc. PSMN014-80YL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
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PSMN014-80YLX PSMN014-80YLX NEXPERIA NEXP-S-A0003107888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN014-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.07 EUR
101+2.32 EUR
114+1.88 EUR
200+1.63 EUR
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PSMN014-80YLX PSMN014-80YLX NEXPERIA NEXP-S-A0003107888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN014-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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PSMN014-80YLX PSMN014-80YLX Nexperia PSMN014-80YL.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 80V 62A
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PSMN014-80YLX NXP PSMN014-80YL.pdf MOSFET N-CH 80V LFPAK56 Транзистори
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 62A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN014-80YLX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
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PSMN014-80YLX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN014-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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AnzahlPrivatkunde
82+3.07 EUR
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Mindestbestellmenge: 82 Stücke
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PSMN014-80YLX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN014-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 80V 62A
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AnzahlPrivatkunde
1+3.71 EUR
10+1.76 EUR
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1000+0.99 EUR
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MOSFET N-CH 80V LFPAK56 Транзистори
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