PSMN015-100YSFX Nexperia
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.49 EUR |
| 10+ | 1.22 EUR |
| 100+ | 0.95 EUR |
| 500+ | 0.81 EUR |
| 1000+ | 0.66 EUR |
| 1500+ | 0.62 EUR |
| 3000+ | 0.61 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PSMN015-100YSFX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN015-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0128 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 105W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0128ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PSMN015-100YSFX nach Preis ab 0.83 EUR bis 1.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN015-100YSFX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETSPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 105W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2234 pF @ 50 V |
auf Bestellung 1413 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
PSMN015-100YSFX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN015-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0128 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: NextPower Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0128ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
|
|
PSMN015-100YSFX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN015-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0128 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: NextPower Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0128ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
|
|
PSMN015-100YSFX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 105W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2234 pF @ 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |