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PSMN015-60PS,127

PSMN015-60PS,127 Nexperia

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Hersteller: Nexperia
MOSFET PSMN015-60PS/SOT78/SIL3P
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Technische Details PSMN015-60PS,127 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN015-60PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0126 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 86W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSMN015-60PS,127 PSMN015-60PS,127 Nexperia 4221979990404875psmn015-60ps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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PSMN015-60PS,127 PSMN015-60PS,127 NEXPERIA PSMN015-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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PSMN015-60PS,127 PSMN015-60PS,127 NEXPERIA NEXP-S-A0003060127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN015-60PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0126 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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PSMN015-60PS,127 4221979990404875psmn015-60ps.pdf
PSMN015-60PS,127
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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PSMN015-60PS,127
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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Mindestbestellmenge: 205 Stücke
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PSMN015-60PS,127
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 2900 Stücke:
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PSMN015-60PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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31+2.81 EUR
100+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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PSMN015-60PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN015-60PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0126 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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58+4.34 EUR
76+3.06 EUR
108+2 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.49 EUR
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