PSMN020-100YS,115 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 50 V
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Technische Details PSMN020-100YS,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN020-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 106W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm.
Weitere Produktangebote PSMN020-100YS,115 nach Preis ab 0.59 EUR bis 2.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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PSMN020-100YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN020-100YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN020-100YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 13500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN020-100YS,115 | Nexperia |
MOSFETs PSMN020-100YS/SOT669/LFPAK |
auf Bestellung 22506 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN020-100YS,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 50 V |
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PSMN020-100YS,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN020-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 106W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm |
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| PSMN020-100YS,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 175+ | 0.97 EUR |
| 500+ | 0.75 EUR |
| 1500+ | 0.65 EUR |
| 3000+ | 0.59 EUR |
| PSMN020-100YS,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 304+ | 1.8 EUR |
| 500+ | 1.6 EUR |
| 1000+ | 1.44 EUR |
| 10000+ | 1.26 EUR |
| PSMN020-100YS,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 304+ | 1.8 EUR |
| 500+ | 1.6 EUR |
| 1000+ | 1.44 EUR |
| 10000+ | 1.26 EUR |
| PSMN020-100YS,115 |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN020-100YS/SOT669/LFPAK
MOSFETs PSMN020-100YS/SOT669/LFPAK
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.53 EUR |
| 10+ | 1.61 EUR |
| 100+ | 1.05 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| 1500+ | 0.73 EUR |
| 3000+ | 0.72 EUR |
| PSMN020-100YS,115 |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
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Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 50 V
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 2.68 EUR |
| 11+ | 1.69 EUR |
| 100+ | 1.13 EUR |
| 500+ | 0.89 EUR |
| PSMN020-100YS,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN020-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm
Description: NEXPERIA - PSMN020-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm
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