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Technische Details PSMN025-100HSX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN025-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29.5 A, 29.5 A, 0.0245 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 68W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0245ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 68W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PSMN025-100HSX nach Preis ab 2.55 EUR bis 3.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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PSMN025-100HSX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56DPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active |
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PSMN025-100HSX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN025-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29.5 A, 29.5 A, 0.0245 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 68W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0245ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 68W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
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PSMN025-100HSX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN025-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29.5 A, 29.5 A, 0.0245 ohm tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29.5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 68W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0245ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 68W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
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PSMN025-100HSX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active |
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PSMN025-100HSX | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs SOT1205 100V 29.5A |
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