PSMN025-100HSX NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN025-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29.5 A, 29.5 A, 0.0245 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0245ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.27 EUR |
| 500+ | 1.92 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
14-21 Tag (e)
Mindestmenge:
100 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PSMN025-100HSX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN025-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29.5 A, 29.5 A, 0.0245 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 68W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0245ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 68W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote PSMN025-100HSX nach Preis ab 1.92 EUR bis 5.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN025-100HSX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 29.5A 8-Pin LFPAK-D |
auf Bestellung 1376 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
 |
PSMN025-100HSX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
|
|
PSMN025-100HSX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN025-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29.5 A, 29.5 A, 0.0245 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 68W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0245ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 68W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 585 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| PSMN025-100HSX |
|
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 29.5A 8-Pin LFPAK-D
Trans MOSFET N-CH 100V 29.5A 8-Pin LFPAK-D
auf Bestellung 1376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 221+ | 3.02 EUR |
| 500+ | 2.68 EUR |
| 1000+ | 2.43 EUR |
| PSMN025-100HSX |
|
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.69 EUR |
| 10+ | 3.03 EUR |
| PSMN025-100HSX |
|
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN025-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29.5 A, 29.5 A, 0.0245 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0245ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: NEXPERIA - PSMN025-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29.5 A, 29.5 A, 0.0245 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0245ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 49+ | 5.2 EUR |
| 72+ | 3.25 EUR |
| 100+ | 2.27 EUR |
| 500+ | 1.92 EUR |