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Technische Details PSMN029-100HLX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN029-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.029 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 68W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 68W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PSMN029-100HLX nach Preis ab 1.11 EUR bis 7.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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PSMN029-100HLX | Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK-D |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN029-100HLX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN029-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.029 ohm tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 68W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 68W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 744 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN029-100HLX | Nexperia |
MOSFETs SOT1205 100V 30A |
auf Bestellung 3550 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN029-100HLX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN029-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.029 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 68W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 68W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 744 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN029-100HLX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3637pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D |
auf Bestellung 1485 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN029-100HLX |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK-D
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK-D
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 1.11 EUR |
| PSMN029-100HLX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN029-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN029-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.24 EUR |
| 500+ | 3.13 EUR |
| PSMN029-100HLX |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT1205 100V 30A
MOSFETs SOT1205 100V 30A
auf Bestellung 3550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.02 EUR |
| 10+ | 3.19 EUR |
| 100+ | 2.15 EUR |
| 500+ | 1.74 EUR |
| 1000+ | 1.26 EUR |
| 3000+ | 1.23 EUR |
| PSMN029-100HLX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN029-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN029-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 42+ | 6 EUR |
| 53+ | 4.4 EUR |
| 100+ | 3.24 EUR |
| 500+ | 3.13 EUR |
| PSMN029-100HLX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3637pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3637pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.06 EUR |
| 10+ | 4.59 EUR |
| 50+ | 3.52 EUR |
| 100+ | 3.18 EUR |