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PSMN033-100HLX Nexperia


psmn033-100hl.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 26A 8-Pin LFPAK-D
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Technische Details PSMN033-100HLX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN033-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 26 A, 26 A, 0.031 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 64W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 64W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSMN033-100HLX PSMN033-100HLX NEXPERIA 3791093.pdf Description: NEXPERIA - PSMN033-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 26 A, 26 A, 0.031 ohm
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euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.3 EUR
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PSMN033-100HLX PSMN033-100HLX Nexperia PSMN033-100HL.pdf MOSFETs SOT1205 100V 26A
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PSMN033-100HLX PSMN033-100HLX Nexperia USA Inc. PSMN033-100HL.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 26A LFPAK56D
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.3nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3168pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 64W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
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PSMN033-100HLX PSMN033-100HLX NEXPERIA 3791093.pdf Description: NEXPERIA - PSMN033-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 26 A, 26 A, 0.031 ohm
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euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.68 EUR
45+5.2 EUR
100+2.98 EUR
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Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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PSMN033-100HLX 3791093.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN033-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 26 A, 26 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT1205 100V 26A
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Description: MOSFET 2N-CH 100V 26A LFPAK56D
Supplier Device Package: LFPAK56D
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FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.3nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3168pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 64W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN033-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 26 A, 26 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
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Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1473 Stücke:
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29+8.68 EUR
45+5.2 EUR
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