Produkte > NEXPERIA > PSMN038-100HSX
PSMN038-100HSX

PSMN038-100HSX Nexperia

PSMN038_100HS-3051868.pdf Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN038-100HS/SOT1205/LFPAK56D
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.32 EUR
10+1.90 EUR
100+1.34 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.03 EUR
1500+0.84 EUR
3000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details PSMN038-100HSX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN038-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.03 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21.4A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 53W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 53W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote PSMN038-100HSX nach Preis ab 1.07 EUR bis 2.75 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PSMN038-100HSX PSMN038-100HSX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN038-100HS.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.6mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.75 EUR
10+1.87 EUR
100+1.32 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100HSX PSMN038-100HSX Hersteller : NEXPERIA 3791088.pdf Description: NEXPERIA - PSMN038-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100HSX PSMN038-100HSX Hersteller : NEXPERIA 3791088.pdf Description: NEXPERIA - PSMN038-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100HSX PSMN038-100HSX Hersteller : NEXPERIA psmn038-100hs.pdf 100V N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100HSX PSMN038-100HSX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN038-100HS.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.6mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH