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PSMN039-100YS,115

PSMN039-100YS,115 Nexperia

4381318389050655psmn039-100ys.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Technische Details PSMN039-100YS,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 28.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Hersteller : Nexperia 4381318389050655psmn039-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN039-100YS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1847 pF @ 50 V
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PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Hersteller : Nexperia 4381318389050655psmn039-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Hersteller : Nexperia 4381318389050655psmn039-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Hersteller : Nexperia 4381318389050655psmn039-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Hersteller : Nexperia PSMN039-100YS.pdf MOSFETs N-channel 100 V 36.6 mohm standard level MOSFET in LFPAK33 designed specifically for high power PoE applications
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PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN039-100YS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1847 pF @ 50 V
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PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003059614-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
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PSMN039-100YS,115 Hersteller : NEXPERIA PSMN039-100YS.pdf PSMN039-100YS.115 SMD N channel transistors
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