auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 449+ | 1.22 EUR |
| 500+ | 1.06 EUR |
| 1000+ | 0.94 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PSMN039-100YS,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 28.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PSMN039-100YS,115 nach Preis ab 0.61 EUR bis 2.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN039-100YS,115 | Hersteller : Nexperia |
 MOSFETs SOT669 N-CH 100V 28. |
auf Bestellung 495 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
PSMN039-100YS,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1847 pF @ 50 V |
auf Bestellung 707 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
PSMN039-100YS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1742 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
|
|
PSMN039-100YS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1742 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
 |
PSMN039-100YS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
|
|
PSMN039-100YS,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1847 pF @ 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
| PSMN039-100YS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28.1A; Idm: 112A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 28.1A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 74W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 72.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |