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PSMN040-100MSEX

PSMN040-100MSEX Nexperia

3013483244337444psmn040-100mse.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
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Technische Details PSMN040-100MSEX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN040-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0294 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 91W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0294ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSMN040-100MSEX PSMN040-100MSEX Nexperia 3013483244337444psmn040-100mse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
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PSMN040-100MSEX PSMN040-100MSEX Nexperia 3013483244337444psmn040-100mse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
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PSMN040-100MSEX PSMN040-100MSEX Nexperia 3013483244337444psmn040-100mse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
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PSMN040-100MSEX PSMN040-100MSEX Nexperia 3013483244337444psmn040-100mse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
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PSMN040-100MSEX PSMN040-100MSEX Nexperia USA Inc. PSMN040-100MSE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
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PSMN040-100MSEX PSMN040-100MSEX Nexperia USA Inc. PSMN040-100MSE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
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PSMN040-100MSEX PSMN040-100MSEX Nexperia PSMN040-100MSE.pdf MOSFETs PSMN040-100MSE/SOT1210/mLFPAK
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PSMN040-100MSEX PSMN040-100MSEX NEXPERIA NEXP-S-A0003060195-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN040-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0294 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 30A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 91W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0294ohm
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PSMN040-100MSEX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
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Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
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Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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PSMN040-100MSEX 3013483244337444psmn040-100mse.pdf
PSMN040-100MSEX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1500+0.75 EUR
4500+0.64 EUR
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PSMN040-100MSEX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
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Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
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Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
auf Bestellung 49500 Stücke:
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PSMN040-100MSEX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
auf Bestellung 50456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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13+1.7 EUR
50+1.27 EUR
100+1.13 EUR
500+0.88 EUR
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PSMN040-100MSEX
Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN040-100MSE/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 26323 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+3.17 EUR
10+1.5 EUR
100+1.27 EUR
500+1 EUR
1000+0.86 EUR
1500+0.77 EUR
3000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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PSMN040-100MSEX NEXP-S-A0003060195-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN040-100MSEX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN040-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0294 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 91W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0294ohm
auf Bestellung 1370 Stücke:
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63+3.97 EUR
131+1.78 EUR
185+1.17 EUR
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