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PSMN057-200P,127

PSMN057-200P,127 NXP USA Inc.


PSMN057-200P.pdf Hersteller: NXP USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 39A TO220AB
Packaging: Bulk
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Technische Details PSMN057-200P,127 NXP USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 200V 39A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V.

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PSMN057-200P,127 PSMN057-200P,127 Hersteller : NEXPERIA PSMN057-200P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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23+3.23 EUR
27+2.68 EUR
29+2.53 EUR
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PSMN057-200P,127 PSMN057-200P,127 Hersteller : NEXPERIA PSMN057-200P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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PSMN057-200P,127 Hersteller : NXP Semiconductors PSMN057-200P.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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PSMN057-200P,127 Hersteller : NXP Semiconductors PSMN057-200P.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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PSMN057-200P,127 PSMN057-200P,127 Hersteller : NEXPERIA 4381134010347070psmn057-200p.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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PSMN057-200P,127 PSMN057-200P,127 Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN057-200P.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 39A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
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PSMN057-200P,127 PSMN057-200P,127 Hersteller : Nexperia PSMN057_200P-2938766.pdf MOSFET PSMN057-200P/SOT78/SIL3P
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