| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 21.13 EUR |
| 10+ | 15.02 EUR |
| 100+ | 12.52 EUR |
| 500+ | 11.16 EUR |
| 1000+ | 10.42 EUR |
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Technische Details PSMN1R0-100ASEJ Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1040 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 430A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.55kW, Bauform - Transistor: CCPAK1212, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PSMN1R0-100ASEJ nach Preis ab 23.11 EUR bis 34.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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PSMN1R0-100ASEJ | NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1040 µohm, CCPAK1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 430A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.55kW Anzahl der Pins: 12Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN1R0-100ASEJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1040 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 430A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.55kW Bauform - Transistor: CCPAK1212 Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN1R0-100ASEJ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1040 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1040 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 10+ | 23.11 EUR |
| PSMN1R0-100ASEJ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1040 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1040 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 8+ | 34.44 EUR |
| 9+ | 28.52 EUR |
| 10+ | 23.11 EUR |